西門子ET200模塊6ES7132-6BF00-0BA0代理商 西門子ET200模塊6ES7132-6BF00-0BA0代理商  潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司 上海詩(shī)慕自動(dòng)化設(shè)備有限公司
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我公司大量現(xiàn)貨供應(yīng)，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，*，德國(guó)* （一）確定I/O點(diǎn)數(shù) 根據(jù)控制系統(tǒng)的要求確定所需要的I/O點(diǎn)數(shù)時(shí)，應(yīng)再增加 10%～20%的備用量，以便隨時(shí)增加控制功能。對(duì)于一個(gè)控制對(duì)象，由于采用的控制方法不同或編程水平不同，I/O點(diǎn)數(shù)也應(yīng)有所不同。表2列出了典型傳動(dòng)設(shè)備及常用電氣元件所需的 （二）關(guān)量I/O 關(guān)量I/O接口可從傳感器和關(guān)（如按鈕、限位關(guān)等）及控制設(shè)備（如指示燈、報(bào)警器、電動(dòng)機(jī)起動(dòng)器等）接信號(hào)。典型的交流輸入/輸出信號(hào)為24～240V，直流輸入/輸出信號(hào)為5～240V。盡管輸入電路因廠家不同而不同，但有些特性是相同的，如用于消除錯(cuò)誤信號(hào)的抖動(dòng)電路等。此外，大多數(shù)輸入電路在高壓電源輸入和接口電路的控制邏輯部分之間都設(shè)有可選的隔離電路。在評(píng)估離散輸出時(shí)，應(yīng)考慮熔絲、瞬時(shí)浪涌保護(hù)和電源與邏輯電路間的隔離電路。熔絲電路也許在始時(shí)花費(fèi)較多，但可能比在外部熔絲耗資要少。 （三）模擬量I/O 模擬量輸入/輸出接口一般用來(lái)感知傳感器產(chǎn)生的信號(hào)。這些接口可用于測(cè)量流量、溫度和壓力，并可用于控制電壓或電流輸出設(shè)備。這些接 A。一些廠家在PLC上設(shè)計(jì)有特殊模擬接口，因而可接低電平信號(hào)，如RTD、熱電偶等。一般來(lái)說(shuō)，這類接口模塊可用于接同一模塊上不同類型的熱電偶或RTD混合信號(hào)。 （四）特殊功能I/O 在選擇一臺(tái)PLC時(shí)，用戶可能會(huì)面臨一些特殊類型且不能用標(biāo)準(zhǔn)I/O實(shí)現(xiàn)的I/O限定（如定位、快速輸入、頻率等）。此時(shí)用戶應(yīng)當(dāng)考慮供銷廠商是否有特殊的有助于限度減小控用的模塊。有些特殊接口模塊自身能一部分現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，從而使CPU從繁重的任務(wù)中解脫出來(lái)。 （五）智能式I/O 當(dāng)前，PLC的生產(chǎn)廠家相繼推出了一些智能式的I/O模塊。一般智能式I/O模塊本身帶有器，可對(duì)輸入或輸出信號(hào)作預(yù)先規(guī)定的，并將結(jié)果送入CPU或直接輸出，這樣可提高PLC的速度并節(jié)省存儲(chǔ)器的容量。 綜上，表3歸納了選擇I/O模塊的一般規(guī)則。 表3 選擇PLC的I/O接口模塊的一般規(guī)則 三、存儲(chǔ)器類型及容量選擇 PLC系統(tǒng)所用的存儲(chǔ)器基本上由PROM、EPROM及RAM三種類型組成，存儲(chǔ)容量則隨機(jī)器的大小變化，一般小型機(jī)的存儲(chǔ)能力低于6kB，中型機(jī)的存儲(chǔ)能力可達(dá)64kB，大型機(jī)的存儲(chǔ)能力可上兆字節(jié)。使用時(shí)可以根據(jù)程序及數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需要來(lái)選用合適的機(jī)型，必要時(shí)也可專門進(jìn)行存儲(chǔ)器的擴(kuò)充設(shè)計(jì) 6ES71326BD200DA0 4DO, 24VDC/2A, 高速型, 具有PWM, 過(guò)采樣等功能, 適用A0型基座單元 6ES71326BF000AA0 8DO, 24VDC/0.5A, 基本型, 適用A0型基座單元 6ES71326BF000BA0 8DO, 24VDC/0.5A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326BF000CA0 8DO, 24VDC/0.5A, 高性能型, 適用A0型基座單元
6ES71326BF600AA0 8DO, 24VDC/0,5A, 漏型輸出, 基本型, 適用A0型基座單元
6ES71326BH000BA0 16DO, 24VDC/0.5A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326FD000BB1 4DO, 24..230VAC/2A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用B1型基座單元
6ES71326HD000BB1 4RO, 120VDC-230VAC/5A NO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用B0或B1型基座單元
6ES71326GD500BA0 4RO, 24VDC/2A, CO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326MD000BB1 4RO, 120VDC-230VAC/5A NO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 帶手動(dòng)置位, 適用B0或B1型基座單元
6ES71346GB000BA1 2AI, I, 2/4-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346FB000BA1 2AI, U, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346GD000BA1 4AI, I, 2/4-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HD000BA1 4AI, U/I, 2-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346GF000AA1 8AI, I, 2/4-WIRE, 基本型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346FF000AA1 8AI, U, 基本型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HB000DA1 2AI, U/I, 2/4-WIRE, 高速型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HB000CA1 2AI, U/I, 2/4-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346JD000CA1 4AI, RTD/TC, 2/3/4-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346JF000CA1 8AI, RTD/TC 2-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346PA010BD0 電能測(cè)量模塊, 400VAC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用D0型基座單元
6ES71346PA200BD0 電能測(cè)量模塊, 480VAC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用D0型基座單元
6ES71356GB000BA1 2AO, I, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356FB000BA1 2AO, U, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HD000BA1 4AO, U/I, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HB000DA1 2AO, U/I, 高速型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HB000CA1 2AO, U/I, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元 |
